На вчерашнем заседании Президиума Российской академии наук его участники заслушали научное сообщение «Интегрированные сегнетоэлектрики: новые возможности современной информационно-вычислительной техники» с которым выступил член-корреспондент РАН Александр Сигов.

А.С. Сигов (награждённый медалью ЮНЕСКО «За вклад в развитие нанонауки и нанотехнологий») в своём докладе отметил, что основным направлением развития микро- и наноэлектроники является увеличение скорости обработки и объёмов информации на основе дальнейшего повышения степени интеграции интегральных схем.

«Отсюда возникают требования новых подходов к принципам обработки информации и поиска новых функциональных материалов. До недавнего времени диэлектрические материалы играли в микроэлектронных устройствах пассивную роль изоляторов, в то время как основной рабочей средой в процессе обработки информации являлись полупроводники, а в устройствах памяти – полупроводники или магнитные материалы. Использование в устройствах приёма, обработки и хранения информации активных диэлектрических материалов отрывает новые возможности существенного увеличения объёмов обрабатываемой информации. Среди активных диэлектриков наибольший интерес для микроэлектроники представляют сегнето-, пиро-, пьезоэлектрики и электреты. Уникальные физические свойства сегнетоэлектриков и названных выше родственных материалов позволяют создать на их основе новый класс интегрированных сегнетоэлектрических устройств для приема, обработки и хранения информации, в которых активным элементом является тонкий слой сегнетоэлектрика. Так, переключение вектора спонтанной поляризации внешним электрическим полем используется для создания энергонезависимых запоминающих устройств; высокая диэлектрическая проницаемость – для конденсаторных элементов запоминающих устройств, СВЧ интегральных схем, а в перспективе – и подзатворных диэлектриков СБИС; пироэлектрическая активность – для создания неохлаждаемых матричных приёмников ИК-излучения; электромеханические свойства лежат в основе нового направления – сегнетоэлектрических МЭМС. Нелинейные оптические свойства (изменение показателя преломления под действием электрического поля, генерация гармоник высших порядков, прежде всего, второй и третьей, оптическое детектирование, фоторефракция и др.) интересны для развития фотоники, создания устройств оптической обработки и записи информации».

Описав структуру и физические свойства характерных представителей класса активных диэлектриков, А.С. Сигов представил основные способы получения гетероструктур на основе сегнетоэлектриков и наиболее важные и интересные возможности их практического использования.

Выступивший в обсуждении председатель Саратовского научного центра РАН, директор Научно-исследовательского центра электронных диагностических систем «ЭЛДИС» академик Юрий Гуляев подчеркнул, что направления исследований, представленные в докладе члена-корреспондента Сигова, «являются поиском новых путей обработки сигналов и увеличения быстродействия. Это – та часть микроэлектроники, где мы являемся ведущими».

А академик-секретарь Отделения энергетики, машиностроения, механики и процессов управления РАН, директор Объединённого института высоких температур РАН академик Владимир Фортов Владимир напомнил, что к представленной тематике имеют отношения работы по созданию «умных» боеприпасов