Научная группа под руководством профессоров Чжан Вэя и Чжоу Пэна из Института микроэлектроники Фуданьского университета Шанхая (Восточный Китай) недавно совершила революционное изобретение, разработав прототипный энергонезависимый накопитель на двухмерных полупроводниках и технологию хранения данных третьего типа. Об этом передает ДВ-РОСС со ссылкой на агентство «Синьхуа».

Скорость записи таких устройств в 10 тыс. раз выше современных USB-накопителей, а время хранения данных определяется автоматически. Китайские ученые решили сложную проблему зарядной технологии хранения данных на полупроводниках — сочетания быстрой записи и энергонезависимости.

Результаты работы научной группы 10 апреля были опубликованы на сайте журнала Nature Nanotechnology.